Architecture note
如何理解这颗芯片
DF1000 走的是软件定义与 3D 近存计算路线：逻辑与 DRAM 通过晶圆级 Hybrid Bonding 垂直堆叠，以亚微米互连提高带宽密度并降低搬移距离。
公司展示了 OAM 2.0 加速卡、服务器、64 卡超节点与 128 卡集群。公开资料对算力和系统形态已有描述，但内存容量、绝对带宽与功耗仍待完整规格书。
主要存储瓶颈
绝对容量、带宽、功耗和测试方法尚未完整公开，现阶段不能与 HBM GPU 进行定量等价比较。
东方算芯近存计算流片验证 / 集群运行
DF1000 · 2026
巅峯 DF1000
在 14 nm 下用逻辑—DRAM 晶圆级混合键合缩短数据路径，以架构换制程。
2 个官方来源可信度 中核验 2026-09-04
Memory thesis
3D DRAM 近存计算 + Hybrid Bonding
DF1000 是本项目重点跟踪的国产近存计算样本：真正的验证点将是公开规格、良率、软件映射与规模化部署。
- 工艺 / 封装
- 国产 14 nm · 晶圆级混合键合 3D
- 存储
- 3D DRAM 近存计算 · 容量未公开
- 存储带宽
- 官方称较传统方案数量级提升
- 峰值计算
- 520 TFLOPS BF16（发布口径）
- 功耗
- 未公开
- 互联
- 原生分布式执行 · 标准以太网系统
Memory hierarchy
存储层次
沿着数据离计算核心越来越远的方向阅读。真实带宽不只取决于介质，也取决于布局、复用和互联。
01
Compute Layer
软件定义执行粗细粒度融合的数据流编程范式。
02
3D DRAM Layer
近存主存与逻辑晶圆垂直键合，缩短高频数据搬移路径。
03
Hybrid Bonding
超密垂直互连公司称互连间距进入亚微米级，提升带宽密度。
04
AFD Runtime
分布式推理映射支持 Prefill/Decode 与 Attention/FFN 等分离方式。
Evidence