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TeslaASIC历史路线 / 项目已终止

Dojo · 2021–2025

Dojo D1

25 颗无封装 D1 组成训练 Tile,以边缘互联和分布式 SRAM 追求“计算平面连续化”。

1 个官方来源可信度 核验 2026-09-04

Memory thesis

分布式 SRAM + Tile 外部 DRAM

Dojo 把内存与互联平面化,是一次激进系统实验;项目终止本身也是架构—组织—生态共同约束的证据。

工艺 / 封装
TSMC 7 nm · 训练 Tile
存储
1.25 MB SRAM / 节点 · 外部 DRAM
存储带宽
Tile 36 TB/s 边缘带宽(发布口径)
峰值计算
362 TFLOPS BF16/CFP8 / D1
功耗
Tile 系统级高功耗
互联
2D Mesh · 25 D1 / Tile

Memory hierarchy

存储层次

沿着数据离计算核心越来越远的方向阅读。真实带宽不只取决于介质,也取决于布局、复用和互联。

01

Node SRAM

计算节点局部状态

每节点约 1.25 MB,强调显式数据流与局部性。

02

On-die Mesh

节点间张量传输

把芯片内部设计成可扩展二维平面。

03

Tile Fabric

跨 D1 扩展

25 颗 D1 无传统封装拼成 5×5 Tile。

04

External DRAM

容量层

经接口处理器连接,无法享受片上 SRAM 的极端带宽。

Architecture note

如何理解这颗芯片

Dojo D1 把 354 个计算节点、局部 SRAM 与高速边缘 I/O 组织成二维 mesh;25 颗 D1 再以 5×5 形式构成 Training Tile。

Tesla 后续终止了独立 Dojo 路线,但 D1 仍是研究先进封装、系统级供电和去封装 tile 的典型案例。这里把它保留为“历史路线”,避免与仍在量产的产品混为一谈。

主要存储瓶颈

片上 SRAM 容量有限,跨 Tile 与外部 DRAM 的数据路径复杂;系统实现成本最终削弱路线持续性。

Evidence

资料入口