怎么工作
- 01用 3D NAND 获得远高于 DRAM 的密度。
- 02通过宽并行接口和封装内连接减少传统 SSD 协议开销。
- 03围绕模型权重等读多写少数据简化 FTL 与耐久需求。
High Bandwidth Flash
HBF
把 NAND 做成封装内高带宽容量层，瞄准权重与 KV 的冷/温数据
HBF 试图在 HBM 与 SSD 之间建立新层级：使用堆叠 NAND、宽 package-local 接口和面向只读/低写入 AI 数据的控制方式，以 TB 级容量和接近 HBM 的顺序读取带宽降低每 bit 成本。
2026 首版开放规格 · 工程导入期核验 2026-09-04
- 首版容量目标
- 最高 512 GB / package
- 带宽目标
- 最高约 3 TB/s
- 堆叠
- 8-Hi / 16-Hi NAND
- 定位
- HBM 与 NVMe SSD 之间
在 AI 系统中的角色
- 01存放不常更新的模型权重。
- 02作为超大 KV Cache 的温数据层。
- 03配合 HBM 做容量扩展，减少频繁经过 PCIe/NVMe。
关键取舍
- 01NAND 写入延迟和耐久性远逊于 DRAM。
- 02控制器、刷新、地址转换与软件分层仍未成熟。
- 03公开规格刚起步，2026–2027 以样片与生态验证为主。
阅读提示
带宽峰值是物理接口上限，不等于应用有效带宽。评价任何 Memory 技术时，都要同时检查访问粒度、随机性、复用、控制器开销、热设计与软件可见性。
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